#1 |
数量:15000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:15000 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2822 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
ATP404 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 95A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.2 mOhm @ 48A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 120nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6400pF @ 20V |
功率 - 最大 | 70W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | ATPAK (2 leads+tab) |
供应商器件封装 | ATPAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3ATPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 95 A |
RDS -于 | 7.2@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 53 ns |
典型上升时间 | 640 ns |
典型关闭延迟时间 | 380 ns |
典型下降时间 | 520 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 7.3 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 1.5 |
最大功率耗散 | 70000 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 7.2@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
标签 | Tab |
供应商封装形式 | ATPAK |
包装长度 | 6.5 |
PCB | 2 |
最大连续漏极电流 | 95 |
引脚数 | 3 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 95A (Ta) |
供应商设备封装 | ATPAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.2 mOhm @ 48A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 70W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 6400pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 120nC @ 10V |
封装/外壳 | ATPAK (2 leads+tab) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 869-1087-1 |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 95 A |
RDS(ON) | 5.5 mOhms |
功率耗散 | 70 W |
封装/外壳 | ATPAK |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | ATP404 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
工厂包装数量 | 3000 |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 95 A |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.5 mOhms |
Pd - Power Dissipation | 70 W |
技术 | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
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